三星推出了一种新的RAM模块，该模块从速度和容量上显示了DDR5内存的潜力。三星表示，512GB DDR5模块是第一个使用High-K Metal Gate(HKMG)技术的模块，可提供7200 Mbps的速度，是DDR4的两倍。目前，它的目标是需要大量数据的超级计算，AI和机器学习功能，但是DDR5最终将找到通向普通PC的方式，从而促进游戏和其他应用程序的发展。
三星于2018年首次将HKMG技术与GPU中使用的GDDR6芯片配合使用。由英特尔开发，它使用ha代替硅，并用金属代替了常规的多晶硅栅电极。所有这些都允许更高的芯片密度，同时减少电流泄漏。
每个芯片使用八层16Gb DRAM芯片，容量为128Gb或16GB。因此，三星将需要其中的32个来制造512GB RAM模块。三星表示，除了更高的速度和容量之外，该芯片的功耗比非HKMG模块低13%-非常适合数据中心，但对于普通PC来说也不错。
三星最新的模块具有7,200 Mbps的速度，将在单个通道上提供约57.6 GB / s的传输速度。在三星的新闻稿中，英特尔指出，该内存将与其下一代“ Sapphire Rapids” Xeon可扩展处理器兼容。该架构将使用八通道DDR5内存控制器，因此我们可以看到内存传输速度高达460 GB / s的多TB内存配置。同时，AMD推出其Zen 4平台(据传支持DDR5)时，第一批消费类PC可能会在2022年问世。