Qualcomm Quick Charge是专有的快速有线充电解决方案，可在装有Qualcomm的Snapdragon SoC的数百种设备上找到。高通向OEM许可的技术有多种版本，其中最先进的是Quick Charge 4+。今天，高通推出了其快速充电技术的新版本：快速充电3+。
高通公司希望借助Quick Charge 3+，以较低的价格将其快速有线充电技术引入智能手机。这项新技术旨在作为使用Quick Charge 2.0或3.0的设备的升级，而不会显着增加实施成本。高通公司表示，这项新技术可以在15分钟内为设备充电0-50%，比上一代产品快35%(大概是Quick Charge 3.0)。高通公司还表示，他们的新充电技术可以使设备在充电时保持比以前低9°C的温度。这些数字是基于单个IC的参考数据和“合适的板/电池设计”得出的，尽管高通公司并未透露其用于生成此数据的设置的更多细节。
Quick Charge 3+支持标准的USB Type-A到USB Type-C电缆，以及支持从Quick Charge 4开始以20mV的步幅扩展电压的附件，Qualcomm将该功能称为“最佳电压智能协商(INOV)”。Quick Charge 3+向后兼容较早的Quick Charge版本，因此基于新标准的新附件仍可为较旧的设备快速充电。
Qualcomm Snapdragon 765和Snapdragon 765G SoC已支持该技术，但将在今年晚些时候推出的新Snapdragon移动平台上也将支持该技术。两项新的PMIC支持该技术：SMB1395和SMB1396。这些PMIC使OEM可以使用相同的软件实现来实现QC3 +，而无需实现外部过压保护(OVP)芯片或检测电阻。SMB1396还支持无线和有线输入。小米的新Mi 10 Lite Zoom(在中国也称为小米Mi 10青年版)是首款同时支持Qualcomm Quick Charge 3+和Quick Charge 4+的设备。我们可以预计，今年晚些时候将推出更多具有高通QC 3+功能的设备。